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12英寸碳化硅襯底實(shí)現(xiàn)激光剝離

來源:琨玉秋霜網(wǎng)時(shí)間:2025-04-29 09:18:12

12英寸碳化硅襯底實(shí)現(xiàn)激光剝離

  科技日報(bào)北京3月27日電 (記者劉園園)記者27日從西湖大學(xué)獲悉,英寸由該校孵化的碳化西湖儀器(杭州)技術(shù)有限公司(以下簡稱“西湖儀器”)成功開發(fā)出12英寸碳化硅襯底自動化激光剝離技術(shù),解決了12英寸及以上超大尺寸碳化硅襯底切片難題。硅襯光剝

  與傳統(tǒng)的底實(shí)硅材料相比,碳化硅具有更寬的現(xiàn)激禁帶能隙以及更高的熔點(diǎn)、電子遷移率和熱導(dǎo)率,英寸可在高溫、碳化高電壓條件下穩(wěn)定工作,硅襯光剝已成為新能源和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迭代升級的底實(shí)關(guān)鍵材料。

  “目前,現(xiàn)激碳化硅襯底材料成本居高不下,英寸嚴(yán)重阻礙了碳化硅器件的碳化大規(guī)模應(yīng)用?!蔽骱髮W(xué)工學(xué)院講席教授仇旻介紹,硅襯光剝碳化硅行業(yè)降本增效的底實(shí)重要途徑之一,是現(xiàn)激制造更大尺寸的碳化硅襯底材料。與6英寸和8英寸襯底相比,12英寸碳化硅襯底材料擴(kuò)大了單片晶圓上可用于芯片制造的面積,在同等生產(chǎn)條件下,可顯著提升芯片產(chǎn)量,同時(shí)降低單位芯片制造成本。

  據(jù)國際權(quán)威研究機(jī)構(gòu)預(yù)測,到2027年,全球碳化硅功率器件市場規(guī)模將達(dá)67億美元,年復(fù)合增長率達(dá)33.5%。去年底,國內(nèi)企業(yè)披露了最新一代12英寸碳化硅襯底。12英寸及以上超大尺寸碳化硅襯底切片需求隨之出現(xiàn)。

  此前,西湖儀器已率先推出8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底激光剝離設(shè)備。為響應(yīng)最新市場需求,西湖儀器迅速推出超大尺寸碳化硅襯底激光剝離技術(shù),將超快激光加工技術(shù)應(yīng)用于碳化硅襯底加工行業(yè),完成了相關(guān)設(shè)備和集成系統(tǒng)的開發(fā)。

  “該技術(shù)實(shí)現(xiàn)了碳化硅晶錠減薄、激光加工、襯底剝離等過程的自動化?!背饡F介紹,與傳統(tǒng)切割技術(shù)相比,激光剝離過程無材料損耗,原料損耗大幅下降。

  仇旻說,新技術(shù)可大幅縮短襯底出片時(shí)間,適用于未來超大尺寸碳化硅襯底的規(guī)?;慨a(chǎn),進(jìn)一步促進(jìn)行業(yè)降本增效。