快科技4月2日消息，新C宣布險試近日舉辦的將首IntelVision 2025大會上，Intel正式宣布其Intel 18A工藝制程技術已進入風險生產階段。藝制
Intel代工服務副總裁 Kevin O'Buckley在Intel即將全面完成其“四年五個節(jié)點（5N4Y）” 計劃之際宣布了這一消息。程進產階
該計劃最初由前CEO帕特·基辛格（Pat Gelsinger）所規(guī)劃，入風是新C宣布險試該公司預計從競爭對手臺積電手中奪回半導體王位的一部分。
KevinO'Buckley表示，將首風險試產雖然聽起來很可怕，藝制但實際上是程進產階一個產業(yè)的標準術語。 風險試產的入風重要性在于我們已經將技術發(fā)展到了可以量產的程度。
他還強調，新C宣布險試Intel已經生產了大量Intel 18A測試芯片。將首 相較之下，藝制風險試產包括將完整的程進產階芯片設計晶圓投少量生產，再通過調整其制造流程，入風并在實際生產運作中驗證節(jié)點和制程設計套件（PDK）。據悉，Intel將在2025年下半年擴大Intel 18A的產量。
31日舉辦的Intel Vision開幕活動中，Intel新任CEO陳立武宣布，18A工藝技術仍按計劃進行，接近第一批外部流片，預計今年下半年首發(fā)該工藝的PantherLake處理器將進行大批量生產。
據悉，Intel的下一代面向移動端筆記本的Panther Lake將于2025年下半年發(fā)布（預計命名為酷睿Ultra 300系列）。
公開資料顯示，Intel “四年五個節(jié)點” 計劃是該公司在2021年7月提出的半導體制造戰(zhàn)略，目的是通過四年時間（2021-2025 年）推出五個制程節(jié)點，重塑其在先進制程領域的領先地位。
2010年代后期，Intel在10nm/7nm節(jié)點遭遇多次延遲，而臺積電、三星通過EUV技術快速推進3nm/2nm制程，導致Intel在移動端和服務器市場份額被蠶食。
2021年帕特?基辛格接任CEO后，提出 “集成設備制造商（IDM）2.0” 戰(zhàn)略，強調自主制造能力與代工服務并重?！八哪晡鍌€節(jié)點” 計劃成為IDM 2.0的核心載體，目標是到2025年通過五個節(jié)點實現制程反超。
為更準確反映性能與能效提升，Intel放棄傳統(tǒng)的nm命名法，改用Intel7/4/3/20A/18A的新命名體系。20A工藝等效2nm級，18A則等效于1.8nm級。
2024年9月，Intel宣布，18A工藝進展順利且超過預期，Arrow Lake高性能處理器原定采用的20A工藝已經取消，改為外部代工制造。
18A工藝在20A的基礎上打造，將成為首款同時采用PowerVia背面供電和RibbonFET環(huán)繞式柵極（GAA）晶體管技術的芯片。
其中，PowerVia提供優(yōu)化的電源布線，可提高性能和晶體管密度，而RibbonFET能夠精確控制晶體管溝道中的電流，在減少功耗方面發(fā)揮著重要作用，同時還能實現芯片組件的進一步小型化。
按照Intel的愿景，18A將是其反超臺積電、重奪半導體工藝世界第一的關鍵節(jié)點。