此前有報道稱，工過三星在2nm（SF2）工藝的藝良已超測試生產(chǎn)中實現(xiàn)了高于預(yù)期的初始良品率，達到30%以上。品率三星計劃在2025年第四季度量產(chǎn)2nm工藝，持續(xù)為Exynos 2600的提升大規(guī)模生產(chǎn)做好準備。
近日三星2nm工藝開發(fā)團隊取得了令人滿意的目前實驗性生產(chǎn)里程碑，開發(fā)當中的工過2nm工藝在良品率方面的表現(xiàn)比之前的3nm工藝要更好，2nm工藝的藝良已超良品率已經(jīng)提升到40%以上。按照目前的品率推進速度，有可能剛好趕上Exynos 2600的持續(xù)量產(chǎn)。
雖然三星在2nm工藝上有了不錯的提升進展，但是目前這種表現(xiàn)并不足夠令人滿意。競爭對手臺積電（TSMC）在去年12月對2nm工藝的工過試產(chǎn)當中，良品率就已超過60%，藝良已超傳聞現(xiàn)在已提升至70%至80%，品率接近于量產(chǎn)的水平。
SF2集成了三星第三代GAA（Gate-All-Around）架構(gòu)晶體管技術(shù)，相比于SF3（3nm），性能提高了12%，功率效率提高了25%，芯片面積減少了5%。三星還打算在2nm制程節(jié)點上引入“BSPDN（背面供電網(wǎng)絡(luò)）”技術(shù)，將電源軌置于晶圓的背面，以消除電源線和信號線之間的瓶頸，解決FSPDN（前端供電網(wǎng)絡(luò)）造成的前端布線堵塞問題，進一步提升性能和能效，并縮小芯片面積。