快科技2月27日消息，下半據(jù)國外媒體最新消息稱，年星三星將在今年下半年，將使開始使用中國存儲專利技術(shù)生產(chǎn)相應(yīng)的用中芯片。
近期，國存三星電子已與中國存儲芯片廠商長江存儲簽署了開發(fā)堆疊400多層NAND Flash所需的儲專產(chǎn)芯“混合鍵合”技術(shù)的專利許可協(xié)議。
按照消息人士的利技說法，三星計劃于2025年下半年量產(chǎn)下一代V10 NAND，術(shù)生將使用長江存儲的下半專利技術(shù)，特別是年星在“混合鍵合”技術(shù)方面。
三星之所以選擇向長江存儲獲取“混合健合”專利授權(quán)，將使主要由于目前長江存儲在“混合鍵合”技術(shù)方面處于全球領(lǐng)先地位。用中并且三星經(jīng)過評估認為，國存從下一代V10 NAND開始，儲專產(chǎn)芯其已經(jīng)無法再避免長江存儲專利的利技影響。
對于中國存儲行業(yè)來說，這確實是振奮人心的消息，畢竟大家從落后一直到趕超，這也從側(cè)面反映了中國科技自主創(chuàng)新的成果。